Физическая химия наноструктурных материалов электроники и спинтроники на основе полупроводниковых соединений A[III]B[V]

Abstract

Изложены результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физической химии гетероструктурных наносистем на основе полупроводниковых соединений A[III]B[V]. Обобщены способы химической халькогенной пассивации поверхности соединений A[III]B[V] в водных растворах, применяемых перед электрохимическим формированием диодных гетеропереходов полупроводник AIIIBV–металл. Рассмотрены теория и результаты расчета методами термодинамики и квантовой химии фазовых равновесий нанослоевых гетероструктур, формирующихся на границах контактов полупроводников GaAs, GaP с водными растворами при халькогенной пассивации и c металлами в диодных переходах. Изложен ряд вопросов физической химии наноструктурных материалов электроники на основе GaN, касающихся механизмов и закономерностей релаксации нанопленок GaN на подложках SiC и GaAs. Проанализированы результаты теоретического исследования устойчивости гетероструктур магнитных полупроводниковых соединений спинтроники на основе нанокристаллов арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов типа A[II]B[IV]С[V][2], легированных марганцем. Монография адресована специалистам в области физической химии, материаловедения, наноэлектроники и спинтроники, компьютерного моделирования наноматериалов, а также студентам, магистрантам и аспирантам соответствующих специальностей.