Показать сокращенную информацию
Физическая химия наноструктурных материалов электроники и спинтроники на основе полупроводниковых соединений A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>
dc.contributor.author | Фомина, Лариса Валерьевна | |
dc.contributor.author | Земцова, Юлия Владимировна | |
dc.contributor.author | Комаровских, Нина Валерьевна | |
dc.contributor.author | Безносюк, Сергей Александрович | |
dc.date.accessioned | 2015-11-20T08:18:24Z | |
dc.date.available | 2015-11-20T08:18:24Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.identifier.citation | Физическая химия наноструктурных материалов электроники и спинтроники на основе полупроводниковых соединений A[III]B[V] : монография / Л. В. Фомина [и др.] ; АлтГУ. - Барнаул : Изд-во АлтГУ, 2013. - 170 с. : ил. | ru_RU |
dc.identifier.isbn | 978-5-7904-1382-7 | |
dc.identifier.uri | http://elibrary.asu.ru/handle/asu/1182 | |
dc.description.abstract | Изложены результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физической химии гетероструктурных наносистем на основе полупроводниковых соединений A[III]B[V]. Обобщены способы химической халькогенной пассивации поверхности соединений A[III]B[V] в водных растворах, применяемых перед электрохимическим формированием диодных гетеропереходов полупроводник AIIIBV–металл. Рассмотрены теория и результаты расчета методами термодинамики и квантовой химии фазовых равновесий нанослоевых гетероструктур, формирующихся на границах контактов полупроводников GaAs, GaP с водными растворами при халькогенной пассивации и c металлами в диодных переходах. Изложен ряд вопросов физической химии наноструктурных материалов электроники на основе GaN, касающихся механизмов и закономерностей релаксации нанопленок GaN на подложках SiC и GaAs. Проанализированы результаты теоретического исследования устойчивости гетероструктур магнитных полупроводниковых соединений спинтроники на основе нанокристаллов арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов типа A[II]B[IV]С[V][2], легированных марганцем. Монография адресована специалистам в области физической химии, материаловедения, наноэлектроники и спинтроники, компьютерного моделирования наноматериалов, а также студентам, магистрантам и аспирантам соответствующих специальностей. | ru_RU |
dc.publisher | Барнаул: Издательство Алтайского государственного университета | ru_RU |
dc.subject | Моделирование релаксации наноструктур | ru_RU |
dc.subject | Молекулярная механика | ru_RU |
dc.subject | Моделирование наноструктурных материалов | ru_RU |
dc.subject | Компьютерные нанотехнологии | ru_RU |
dc.subject | Компьютерное моделирование нанослоев | ru_RU |
dc.subject | Гетероструктуры магнитных полупроводников | ru_RU |
dc.title | Физическая химия наноструктурных материалов электроники и спинтроники на основе полупроводниковых соединений A<sup>III</sup>B<sup>V</sup> | ru_RU |
dc.type | Book | ru_RU |